دستهبندی: حافظه SSD اینترنال
وزن: ۱۰ گرم
کنترل کننده: Samsung V-NAND ۳-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: Up to ۱,۵۵۰,۰۰۰ IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: Up to ۱,۴۰۰,۰۰۰ IOPS









وزن
۱۰ گرم
کنترل کننده
Samsung V-NAND ۳-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
Up to ۱,۵۵۰,۰۰۰ IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
Up to ۱,۴۰۰,۰۰۰ IOPS
ظرفیت
دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
۱۵۰۰g , ۰.۵ms
میانگین عمر
۱.۵ میلیون ساعت
نوع حافظه فلش
MLC
قابلیتهای حافظه
پشتیبانی از TRIM
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
Up to ۶,۹۰۰ MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
Up to ۷,۴۵۰ MB/s
مصرف برق
Average ۵.۵ W Maximum ۸.۵ W (Burst mode)
رابطها
PCI-Express ۴.۰ x۴
قابلیت پشتیبانی از سیستم عاملهای
Client PCs, Game Consoles